MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ412EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 32 A, Mejora, SO-8 de 5 pines
- Código RS:
- 787-9496
- Nº ref. fabric.:
- SQJ412EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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*precio indicativo
- Código RS:
- 787-9496
- Nº ref. fabric.:
- SQJ412EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.14mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.14mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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