MOSFET Vishay SQJ412EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 32 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 787-9496
Nº ref. fabric.:: SQJ412EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SQJ412EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 32 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

2,18 €

(exc. IVA)

2,64 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	2,18 €	10,90 €
50 - 120	1,854 €	9,27 €
125 - 245	1,744 €	8,72 €
250 - 495	1,636 €	8,18 €
500 +	1,526 €	7,63 €

*precio indicativo

Código RS:: 787-9496
Nº ref. fabric.:: SQJ412EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Certificados

AEC-Q101

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	SQ Rugged
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8L
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	83 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	80 nC a 10 V
Longitud	5mm
Ancho	5.03mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Estándar de automoción	AEC-Q101
Altura	1.14mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C