MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 32 A, Mejora, SO-8 de 5 pines

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Código RS:
170-8303
Nº ref. fabric.:
SQJ412EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

32A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.14mm

Anchura

5.03 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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