MOSFET, N-Canal Vishay SQJA81EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 46 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
204-7239
Nº ref. fabric.:
SQJA81EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SQJA81EP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Altura

1mm

Anchura

4.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C tiene certificación AEC-Q101.

100 % RG y prueba UIS

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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