MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA81EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 46 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 204-7240
- Nº ref. fabric.:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
36,00 €
(exc. IVA)
43,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,80 € | 36,00 € |
| 40 - 80 | 1,44 € | 28,80 € |
| 100 - 180 | 1,26 € | 25,20 € |
| 200 - 480 | 1,044 € | 20,88 € |
| 500 + | 0,972 € | 19,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-7240
- Nº ref. fabric.:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQJA81EP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQJA81EP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C tiene certificación AEC-Q101.
100 % RG y prueba UIS
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS -80 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines