MOSFET, N-Canal Vishay SQJ152EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
228-2956
Nº ref. fabric.:
SQJ152EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

114A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 40 V.

100 % Rg y UIS probados

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