MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD80N4F6, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
791-9308
Nº ref. fabric.:
STD80N4F6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

DeepGate, STripFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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