MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD65N55F3, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
795-9000
Nº ref. fabric.:
STD65N55F3
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

STripFET F3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Anchura

6.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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