MOSFET Toshiba TK40E06N1, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
796-5099
Nº ref. fabric.:
TK40E06N1
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Serie

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10,4 MΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

67 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

4.45mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.16mm

Altura

15.1mm


Transistores MOSFET, Toshiba

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