MOSFET, N-Canal Nexperia PMPB11EN,115, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 798-2779
- Nº ref. fabric.:
- PMPB11EN,115
- Fabricante:
- Nexperia
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- 798-2779
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- PMPB11EN,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | PMPB11EN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Altura | 650μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie PMPB11EN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.1mm | ||
Altura 650μm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, hasta 30V
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
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