MOSFET onsemi FDH038AN08A1, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 806-3428
Nº ref. fabric.:: FDH038AN08A1
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDH038AN08A1, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio Unidad

9,86 €

(exc. IVA)

11,93 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	9,86 €
10 - 19	8,89 €
20 +	8,18 €

Código RS:: 806-3428
Nº ref. fabric.:: FDH038AN08A1
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	450 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.82mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	15.87mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	125 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.25V
Altura	20.82mm