Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPB80N06S4L05ATMA2, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 826-8998
- Nº ref. fabric.:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 20 unidades)*
37,68 €
(exc. IVA)
45,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 520 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,884 € | 37,68 € |
| 40 - 80 | 1,489 € | 29,78 € |
| 100 - 180 | 1,395 € | 27,90 € |
| 200 - 480 | 1,30 € | 26,00 € |
| 500 + | 1,206 € | 24,12 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-8998
- Nº ref. fabric.:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS -T2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS -T2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263