Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 826-9109
- Nº ref. fabric.:
- IPD50P04P413ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,978 € | 24,45 € |
| 50 - 100 | 0,763 € | 19,08 € |
| 125 - 225 | 0,714 € | 17,85 € |
| 250 - 600 | 0,664 € | 16,60 € |
| 625 + | 0,616 € | 15,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9109
- Nº ref. fabric.:
- IPD50P04P413ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 58W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 58W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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