MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7495TRPBF, VDSS 100 V, ID 7.3 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
827-3877
Número de artículo Distrelec:
304-44-453
Nº ref. fabric.:
IRF7495TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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