MOSFET Infineon IPP032N06N3GXKSA1, VDSS 60 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 892-2100
- Nº ref. fabric.:
- IPP032N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
10 Disponible para entrega en 24/48 horas
30 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
2,054 €
(exc. IVA)
2,485 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 - 20 | 2,054 € | 10,27 € |
| 25 - 45 | 1,808 € | 9,04 € |
| 50 - 120 | 1,684 € | 8,42 € |
| 125 - 245 | 1,562 € | 7,81 € |
| 250 + | 1,456 € | 7,28 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 892-2100
- Nº ref. fabric.:
- IPP032N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Serie | OptiMOS 3 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 188 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 10.36mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.57mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 124 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Altura | 15.95mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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