MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP020N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
906-2919
Nº ref. fabric.:
IPP020N06NAKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

15.95mm

Anchura

4.57mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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