MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS314PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 892-2377
- Nº ref. fabric.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,183 € | 18,30 € |
| 500 - 900 | 0,174 € | 17,40 € |
| 1000 - 2400 | 0,167 € | 16,70 € |
| 2500 - 4900 | 0,16 € | 16,00 € |
| 5000 + | 0,101 € | 10,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 892-2377
- Nº ref. fabric.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 230mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.1 mm | |
| Altura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 230mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.1 mm | ||
Altura 1.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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