MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Marca

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

NexFET

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

118 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10.67mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17,1 nC a 0 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.51mm

Tensión de diodo directa

1.1V