MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3, VDSS 30 V, ID 47 A, SON de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
162-8541
Nº ref. fabric.:
CSD17308Q3
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

47 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2,7 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,9 nC a 4,5 V

Longitud

3.4mm

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments



Transistores MOSFET, Texas Instruments

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