MOSFET Texas Instruments CSD18563Q5AT, VDSS 60 V, ID 100 A, VSON de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
921-2987
Nº ref. fabric.:
CSD18563Q5AT
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

VSON

Serie

NexFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3,2 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments



Transistores MOSFET, Texas Instruments

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