MOSFET Texas Instruments CSD25304W1015T, VDSS 20 V, ID 3 A, DSBGA de 6 pines, , config. Simple

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Código RS:
162-9740
Nº ref. fabric.:
CSD25304W1015T
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

DSBGA

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

92 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.15V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.55V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +8 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,3 nC a 4,5 V

Longitud

1mm

Ancho

1.5mm

Tensión de diodo directa

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments



Transistores MOSFET, Texas Instruments

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