MOSFET Texas Instruments CSD25304W1015T, VDSS 20 V, ID 3 A, DSBGA de 6 pines, , config. Simple

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Código RS:
162-9740
Nº ref. fabric.:
CSD25304W1015T
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

DSBGA

Serie

NexFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

92 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.15V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.55V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +8 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,3 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Longitud

1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments



Transistores MOSFET, Texas Instruments

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