MOSFET, N-Canal Infineon BSZ042N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 906-4390
- Nº ref. fabric.:
- BSZ042N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
11,21 €
(exc. IVA)
13,56 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 50 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,121 € | 11,21 € |
| 100 - 490 | 0,904 € | 9,04 € |
| 500 - 990 | 0,704 € | 7,04 € |
| 1000 - 2490 | 0,596 € | 5,96 € |
| 2500 + | 0,581 € | 5,81 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 906-4390
- Nº ref. fabric.:
- BSZ042N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 60 V, corriente de drenaje continua de 40 A - BSZ042N06NSATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de silicio diseñado para conmutación de alta potencia en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para manejar corrientes y tensiones sustanciales típicas de las etapas de conmutación y conversión de potencia. El componente se suministra en un encapsulado TDSON de perfil bajo adecuado para conjuntos compactos donde se requiere rendimiento térmico y eléctrico.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 60 V permite una conmutación de tensión media robusta
• La capacidad de corriente continua de 40 A admite circuitos de alta carga
• La baja Rds(on) de 6.3 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 27 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La disipación de potencia de 69 W permite un manejo de potencia sostenido
• La capacidad de corriente continua de 40 A admite circuitos de alta carga
• La baja Rds(on) de 6.3 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 27 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La disipación de potencia de 69 W permite un manejo de potencia sostenido
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de convertidor reductor síncrono
• Ideal para conjuntos de medio puente de controlador de motor
• Se utiliza con módulos de alimentación dc-dc en fuentes de alimentación de servidor
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de carga
• Ideal para conjuntos de medio puente de controlador de motor
• Se utiliza con módulos de alimentación dc-dc en fuentes de alimentación de servidor
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de carga
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta debo tener en cuenta?
La carga de puerta típica de 27 nC a la tensión de puerta especificada requiere un controlador capaz de generar y absorber una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación requerida sin pérdidas de transición excesivas.
¿Cómo afecta el encapsulado al rendimiento térmico?
La disposición de 8 contactos TDSON proporciona una ruta de baja resistencia térmica a la PCB, lo que permite una transferencia de calor eficaz cuando se utiliza con una zona de cobre adecuada y vias térmicas para una disipación de potencia elevada.
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar en una amplia ventana de temperatura de funcionamiento, desde entornos fríos profundos hasta entornos de alta temperatura, y se adapta a diseños expuestos a condiciones extremas.
¿Cómo se ve afectado el comportamiento de conmutación por las características del dispositivo?
La combinación de baja resistencia de conexión y carga de puerta moderada equilibra bajas pérdidas de conducción con transiciones de conmutación controlables, lo que lo convierte en adecuado para etapas de potencia centradas en la eficiencia.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TDSON de 8 pines