MOSFET Infineon BSZ042N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 40 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4390
Nº ref. fabric.:: BSZ042N06NSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ042N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 40 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

4760 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,392 €

(exc. IVA)

1,684 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,392 €	13,92 €
100 - 490	1,125 €	11,25 €
500 - 990	0,875 €	8,75 €
1000 - 2490	0,741 €	7,41 €
2500 +	0,72 €	7,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 906-4390
Nº ref. fabric.:: BSZ042N06NSATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	69 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	27 nC a 10 V
Ancho	3.4mm
Material del transistor	Si
Longitud	3.4mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.1mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C