MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC009NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
906-4441
Nº ref. fabric.:
BSC009NE2LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900μΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72nC

Disipación de potencia máxima Pd

96W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

5.35 mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Encapsulado ecológico (sin plomo)

RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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