MOSFET Infineon IPB029N06N3GATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 914-0185
Nº ref. fabric.:: IPB029N06N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB029N06N3GATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

2930 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,72 €

(exc. IVA)

0,87 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,72 €	7,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 914-0185
Nº ref. fabric.:: IPB029N06N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	188 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	124 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.45mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm