MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3032
- Nº ref. fabric.:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3032
- Nº ref. fabric.:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™-T2 de potencia de canal N. Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación para alta eficiencia térmica.
Canal N - Modo de mejora
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Prueba de avalancha al 100 %