MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N06S4H1ATMA2, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

15,84 €

(exc. IVA)

19,165 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 950 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 +3,168 €15,84 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3033
Nº ref. fabric.:
IPB120N06S4H1ATMA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS™-T2 de potencia de canal N. Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación para alta eficiencia térmica.

Canal N - Modo de mejora

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Prueba de avalancha al 100 %

Enlaces relacionados