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MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 915-4941
Nº ref. fabric.:: IRF3808STRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

505 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

2,738 €

(exc. IVA)

3,313 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 20	2,738 €	13,69 €
25 - 45	2,60 €	13,00 €
50 - 120	2,492 €	12,46 €
125 - 245	2,326 €	11,63 €
250 +	2,19 €	10,95 €

*precio indicativo

Código RS:: 915-4941
Nº ref. fabric.:: IRF3808STRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	106 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	200 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.67mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	150 nC a 10 V
Ancho	11.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V