MOSFET, N-Canal Infineon IRL540NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
915-5086
Número de artículo Distrelec:
304-44-471
Nº ref. fabric.:
IRL540NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

36A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-16V, +16V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Anchura

11.3mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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