MOSFET de potencia Microchip, N-Canal DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1.1 A, DFN, Reducción de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 916-3725
- Nº ref. fabric.:
- DN2625DK6-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
14,22 €
(exc. IVA)
17,21 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 410 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,844 € | 14,22 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 916-3725
- Nº ref. fabric.:
- DN2625DK6-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | DN2625 | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Altura | 850μm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie DN2625 | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.04nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.1mm | ||
Altura 850μm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores MOSFET de canal N DN2625
El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Baja tensión umbral de compuerta
Diseñados para accionamiento por fuente
Pérdidas de conmutación bajas
Baja capacitancia eficaz de salida
Diseñados para cargas inductivas
Transistores MOSFET, Microchip
Enlaces relacionados
- MOSFET Microchip VDSS 350 V Reducción de 4 pines, config. Simple
- MOSFET Nexperia VDSS 20 V DFN 1, config. Simple
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 80 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 80 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble