MOSFET de potencia Microchip, Tipo N-Canal DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1.1 A, DFN, Reducción de 8 pines, 1, config.

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Código RS:
916-3725
Nº ref. fabric.:
DN2625DK6-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

DN2625

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.04nC

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.1mm

Anchura

5.1 mm

Altura

0.85mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N DN2625


El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características


Baja tensión umbral de compuerta

Diseñados para accionamiento por fuente

Pérdidas de conmutación bajas

Baja capacitancia eficaz de salida

Diseñados para cargas inductivas

Transistores MOSFET, Microchip


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