MOSFET de potencia Microchip, Tipo N-Canal DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1.1 A, DFN, Reducción de 8 pines, 1, config.

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

11,76 €

(exc. IVA)

14,23 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1410 unidad(es) más para enviar a partir del 25 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 +2,352 €11,76 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
916-3725
Nº ref. fabric.:
DN2625DK6-G
Fabricante:
Microchip
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

DFN

Serie

DN2625

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.04nC

Tensión directa Vf

1.8V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.1mm

Altura

0.85mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N DN2625


El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características


Baja tensión umbral de compuerta

Diseñados para accionamiento por fuente

Pérdidas de conmutación bajas

Baja capacitancia eficaz de salida

Diseñados para cargas inductivas

Transistores MOSFET, Microchip


Enlaces relacionados