MOSFET de potencia, Tipo N-Canal IXYS IXTK102N65X2, VDSS 650 V, ID 102 A, Mejora, TO-264P de 3 pines
- Código RS:
- 917-1423
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-426
- Nº ref. fabric.:
- IXTK102N65X2
- Fabricante:
- IXYS
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- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 102A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Encapsulado | TO-264P | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1040W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 152nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.3mm | |
| Certificaciones y estándares | International Standard Packages | |
| Altura | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 102A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Encapsulado TO-264P | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1040W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 152nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.3mm | ||
Certificaciones y estándares International Standard Packages | ||
Altura 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2
La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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