MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 5.6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
919-0023
Nº ref. fabric.:
IRF510PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IRF

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

540mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.41mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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