ISSI SDRAM IS43TR16512S2DL-125KBLI, 8 Gb, Montaje superficial, BGA, 96 pines

La SDRAM DDR3 de 8 Gb de ISSI admite tensión estándar de VDD y VDDQ a 1,5 V ± 0,075 V y funcionamiento de baja tensión a 1,35 V +0,1 V −067 V con compatibilidad retroactiva a 1,5 V. Proporciona velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con frecuencias del sistema de hasta 933 MHz e incluye 8 bancos internos para funcionamiento simultáneo. Construido sobre una arquitectura prefetch de 8 n bits, dispone de latencia CAS programable, opciones de latencia aditiva programable de 0 CL−1 o CL−2 y latencia de escritura CAS programable CWL basada en tCK. El dispositivo también admite longitudes de ráfaga programables de 4 y 8.

Interruptor BL en movimiento