ISSI SDRAM IS43TR16128D-125KBL, 2 Gb, Montaje superficial, BGA, 96 pines

La SDRAM DDR3 de 2 Gb de ISSI admite tensión estándar de VDD y VDDQ a 1,5 V, ± 0,075 V y funcionamiento de baja tensión a 1,35 V, +0,1 V, −067 V con compatibilidad retroactiva a 1,5 V. Proporciona transferencia de datos de alta velocidad con frecuencias del sistema de hasta 1066 MHz y dispone de 8 bancos internos para operaciones simultáneas. La arquitectura se basa en un prefetch de 8 n bits e incluye latencia CAS programable, opciones de latencia aditiva de 0 CL-1 o CL-2 y latencia de escritura CAS CWL basada en tCK. La longitud de la ráfaga es programable en 4 o 8 con modos de secuencia de ráfaga seleccionables, incluidos secuencial e interminable.

Interruptor BL en movimiento