onsemi IGBT, FGH40T120SQDNL4, Tipo P-Canal, 40 A, 1200 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante

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Código RS:
178-4594
Nº ref. fabric.:
FGH40T120SQDNL4
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo P

Número de pines

4

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.78V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

Field Stop

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) dispone de una construcción Ultra Field Stop Trench robusta y económica, y ofrece un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes, con una tensión de conexión baja y una pérdida de conmutación mínima. El IGBT es ideal para SAI y aplicaciones solares. El dispositivo incorpora un diodo de libre circulación coencapsulado rápido y suave con una tensión directa baja.

Trench muy eficiente con la tecnología Field Stop • TJ máx. = 175 °C • Diodo de recuperación inversa rápida y suave • Optimizado para conmutación a alta velocidad • Dispositivos sin plomo

Aplicaciones

Inversores solares, SAI, soldadores

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