IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30

El IGBT de parada de campo de 1200 V y 40 A de ON Semiconductor. Este IGBT utiliza un diodo encapsulado de conmutación rápida que lo convierte en ideal para usar en aplicaciones de conmutación dura en las que EON, IRRM y trr son factores importantes que determinan las pérdidas. Los IGBT de parada de campo ultra ofrecen excelentes pérdidas de conmutación para dispositivos de baja pérdida de conducción.

Baja VCE(SAT) 1,55 V a 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40 A
EOFF 1,35 mJ a 600 V/40 A
IRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A