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Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	1200V
	Disipación de potencia máxima Pd	153W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	15.8mm
	Serie	FGH4L40T120LQD
	Altura	5.2mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	22.7 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V
	Disipación de potencia máxima Pd 153W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 15.8mm
	Serie FGH4L40T120LQD
	Altura 5.2mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 22.7 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - FGH4L40T120LQD

El IGBT de parada de campo de 1200 V y 40 A de ON Semiconductor. Este IGBT utiliza un diodo encapsulado de conmutación rápida que lo convierte en ideal para usar en aplicaciones de conmutación dura en las que EON, IRRM y trr son factores importantes que determinan las pérdidas. Los IGBT de parada de campo ultra ofrecen excelentes pérdidas de conmutación para dispositivos de baja pérdida de conducción.

Baja VCE(SAT) 1,55 V a 40 A

EON 1,04 mJ a 600 V/40 A

EOFF 1,35 mJ a 600 V/40 A

IRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A

onsemi IGBT, FGH4L40T120LQD, 1200 V, TO-247, 4 pines Superficie

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