onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 178-4627P
- Nº ref. fabric.:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-4627P
- Nº ref. fabric.:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Encapsulado | TO-247 G03 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Field Stop 4th Generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 50mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Encapsulado TO-247 G03 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Field Stop 4th Generation | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 50mJ | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4.ª generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.
Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC
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