Vishay IGBT, SUD08P06-155L-GE3, Tipo P-Canal, TO-252, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 180-8117
- Nº ref. fabric.:
- SUD08P06-155L-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 180 | 0,823 € | 16,46 € |
| 200 - 480 | 0,781 € | 15,62 € |
| 500 - 980 | 0,747 € | 14,94 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8117
- Nº ref. fabric.:
- SUD08P06-155L-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20.8W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS-compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20.8W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS-compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-252-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 52mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 20,8W mW. Se puede utilizar en interruptores de carga para dispositivos portátiles. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET