MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB11NK40ZT4, VDSS 400 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
151-427
Nº ref. fabric.:
STB11NK40ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Encapsulado

TO-263

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.55Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.4 mm

Altura

4.6mm

Longitud

15.85mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, una optimización del Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia, estos dispositivos están diseñados para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protección Zener

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