MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB11NK40ZT4, VDSS 400 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 151-428
- Nº ref. fabric.:
- STB11NK40ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,08 € | 5,40 € |
| 50 - 95 | 1,024 € | 5,12 € |
| 100 - 495 | 0,952 € | 4,76 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 151-428
- Nº ref. fabric.:
- STB11NK40ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.55Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 15.85mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.55Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 15.85mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, una optimización del Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia, estos dispositivos están diseñados para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protección Zener
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