MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD1NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-905
- Nº ref. fabric.:
- STD1NK80ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 20 unidades)*
16,22 €
(exc. IVA)
19,62 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2380 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,811 € | 16,22 € |
| 200 - 480 | 0,771 € | 15,42 € |
| 500 - 980 | 0,715 € | 14,30 € |
| 1000 - 1980 | 0,656 € | 13,12 € |
| 2000 + | 0,632 € | 12,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-905
- Nº ref. fabric.:
- STD1NK80ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protegido por Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines