MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD1NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
151-905
Nº ref. fabric.:
STD1NK80ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

SuperMESH

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protegido por Zener

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