MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STFW4N150, VDSS 1500 V, ID 4 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- Código RS:
- 151-932
- Nº ref. fabric.:
- STFW4N150
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 4,464 € | 133,92 € |
| 150 - 270 | 4,352 € | 130,56 € |
| 300 + | 4,232 € | 126,96 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-932
- Nº ref. fabric.:
- STFW4N150
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1500V | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Serie | STFW4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 44mm | |
| Altura | 44mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1500V | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Serie STFW4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 44mm | ||
Altura 44mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- KR
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se diseña utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en el trazado de bandas consolidadas. El resultado es un producto que iguala o mejora las prestaciones de piezas estándar comparables de otros fabricantes.
100% avalancha probada
Capacitancias intrínsecas y Qg minimizados
Conmutación de alta velocidad
Encapsulado de plástico TO 3PF totalmente aislado
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