MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STFW4N150, VDSS 1.5 kV, ID 4 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- Código RS:
- 151-933
- Nº ref. fabric.:
- STFW4N150
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Consigue un descuento por cantidad
Añade 10 más para ahorrar 27,00 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
6,50 €
(exc. IVA)
7,86 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 149 Envío desde el 28 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 6,50 € | - |
| 10 - 99 | 3,80 € | 27,00 € |
| 100 + | 3,20 € | 330,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-933
- Nº ref. fabric.:
- STFW4N150
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.5kV | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Serie | STFW4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 44mm | |
| Anchura | 15.7mm | |
| Longitud | 44mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.5kV | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Serie STFW4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 44mm | ||
Anchura 15.7mm | ||
Longitud 44mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- KR
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se diseña utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en el trazado de bandas consolidadas. El resultado es un producto que iguala o mejora las prestaciones de piezas estándar comparables de otros fabricantes.
100% avalancha probada
Capacitancias intrínsecas y Qg minimizados
Conmutación de alta velocidad
Encapsulado de plástico TO 3PF totalmente aislado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, TO-247 de 3 pines