MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R5-60YS,115, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-492
Nº ref. fabric.:
PSMN5R5-60YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4.1 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Nexperia está alojado en un encapsulado LFPAK y está calificado para 175 °C. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones industriales, de comunicaciones y domésticas. Los usos principales incluyen control de motor, fuentes de alimentación de servidor, convertidores dc a dc, protección de batería de ión-litio y conmutación de carga.

El TrenchMOS avanzado proporciona un bajo RDSon y una carga de puerta baja

Alta eficiencia en convertidores de potencia de conmutación

Características mecánicas y térmicas mejoradas

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