MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R5-60YS,115, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-492
Nº ref. fabric.:
PSMN5R5-60YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.1 mm

Altura

1.1mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

The Nexperia N-Channel MOSFET is housed in an LFPAK package and qualified to 175°C. It is designed for a wide range of industrial, communications, and domestic applications. Key uses include motor control, server power supplies, DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection and load switching.

Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge

High efficiency in switching power converters

Improved mechanical and thermal characteristics

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