MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE046N08LM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-765
- Nº ref. fabric.:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-765
- Nº ref. fabric.:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 99A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 99A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 que proporciona alta eficiencia y fiabilidad adaptadas para aplicaciones exigentes. Con un enfoque en el rendimiento optimizado en fuentes de alimentación de modo conmutado, este MOSFET de canal N destaca en tareas de rectificación síncrona. Diseñado con características térmicas avanzadas, garantiza una disipación de calor superior junto con una resistencia de encendido ultrabaja, lo que permite un funcionamiento eficaz incluso bajo demandas eléctricas estrictas. El componente destaca por su amplia validación conforme a los estándares JEDEC para aplicaciones industriales, lo que garantiza la tranquilidad de los usuarios profesionales. Ideal para circuitos de alimentación industriales, el transistor incorpora una calificación de avalancha robusta, lo que garantiza la resiliencia durante escenarios de alta tensión, lo que lo convierte en una elección inteligente para los sistemas de gestión de potencia del mañana.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento
Control de nivel lógico para sistemas de baja tensión
100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad
Diseño sin halógenos para la responsabilidad medioambiental
Chapado de plomo sin plomo para estándares modernos
Conformidad con RoHS para un uso seguro
Resistencia térmica superior para mayor durabilidad
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