MOSFET Infineon IQDH29NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 789 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
348-874
Nº ref. fabric.:
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

789 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 5

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

9

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con la RDS(on) más baja del sector, de 0,29 mΩ, combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.

Pérdidas de conducción minimizadas
Conmutación rápida
Reducción de sobretensiones

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