MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5CGSCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 351-911
- Nº ref. fabric.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,19 € | 12,38 € |
| 20 - 198 | 5,575 € | 11,15 € |
| 200 - 998 | 5,14 € | 10,28 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 351-911
- Nº ref. fabric.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | IQD0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Serie IQD0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 6,32 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 150 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
Tamaño de Center-Gate
Encapsulado estándar de la industria
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