MOSFET Infineon IQE065N10NM5CGSCATMA1, VDSS 100 V, ID 85 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
284-776
Nº ref. fabric.:
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

85 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

9

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon cuenta con un transistor de potencia OptiMOS 5 está diseñado para un rendimiento excepcional en aplicaciones de rectificación síncrona, ofreciendo una alta eficiencia y fiabilidad. La avanzada tecnología MOSFET lo convierte en la opción ideal para diseños de fuentes de alimentación exigentes, garantizando una gestión térmica óptima y una pérdida de energía reducida. Diseñado para funcionar a 100 V, este transistor muestra una impresionante robustez mediante pruebas de avalancha al 100%, lo que ofrece tranquilidad para las aplicaciones industriales.

Optimizado para fuentes de alimentación conmutadas
Canal N para mejorar la conmutación
La resistencia térmica superior garantiza la fiabilidad
Revestimiento de plomo sin plomo para mayor seguridad medioambiental
Los materiales sin halógenos cumplen las normas IEC

Enlaces relacionados