MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5CGSCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 351-909
- Nº ref. fabric.:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
10,00 €
(exc. IVA)
12,10 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,00 € | 10,00 € |
| 20 - 198 | 4,505 € | 9,01 € |
| 200 - 998 | 4,15 € | 8,30 € |
| 1000 - 1998 | 3,85 € | 7,70 € |
| 2000 + | 3,455 € | 6,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-909
- Nº ref. fabric.:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 276A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 276A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 2,05 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 100 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
Tamaño de Center-Gate
Encapsulado estándar de la industria
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IQE065N10NM5CGSCATMA1 ID 85 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQDH45N04LM6CGSCATMA1 ID 611 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD009N06NM5CGSCATMA1 ID 445 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD005N04NM6CGSCATMA1 ID 597 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD016N08NM5CGSCATMA1 ID 323 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ID 789 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines