MOSFET Infineon IQD016N08NM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 323 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
348-883
Nº ref. fabric.:
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

323 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 5

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

9

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 1,57 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.

Pérdidas de conducción minimizadas
Conmutación rápida
Reducción de sobretensiones

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