MOSFET Infineon IQD016N08NM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 323 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 348-883
- Nº ref. fabric.:
- IQD016N08NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 348-883
- Nº ref. fabric.:
- IQD016N08NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 323 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 9 | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 323 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 80 V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 9 | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 1,57 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.
Pérdidas de conducción minimizadas
Conmutación rápida
Reducción de sobretensiones
Conmutación rápida
Reducción de sobretensiones
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