MOSFET Infineon IQDH45N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 611 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
348-877
Nº ref. fabric.:
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

611 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 6

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

9

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,45 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.

Reducción de sobretensiones
Mayor capacidad de corriente máxima
Conmutación rápida

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