MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE046N08LM5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-767
- Nº ref. fabric.:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-767
- Nº ref. fabric.:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 99A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 99A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 diseñado para proporcionar un rendimiento y fiabilidad excepcionales en aplicaciones de alta eficiencia. Construido para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, este innovador MOSFET integra características de gestión térmica avanzada para garantizar una disipación de calor superior. Aprovechando una configuración de canal N de nivel lógico con una resistencia de encendido extremadamente baja, garantiza un funcionamiento eficiente incluso a temperaturas elevadas. Este componente cumple los estrictos estándares del sector al tiempo que ofrece una robusta protección contra avalanchas, lo que lo convierte en una excelente elección para aplicaciones industriales que requieren manipulación de alta corriente y resistencia ambiental.
Optimizado para conmutación de alto rendimiento
La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia energética
Rendimiento térmico robusto para una larga vida útil
Probado en avalancha para mayor fiabilidad
El chapado sin plomo cumple los estándares RoHS
Sin halógenos para un cumplimiento respetuoso con el medio ambiente
Ideal para aplicaciones industriales exigentes
Encapsulado compacto para facilitar la integración
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